Um Ressourcen zu schonen und Effizienz zu steigern, hat Infineon eine innovative Löttechnik für Halbleiterchips entwickelt: CoolSiC™MOSFETs verwendet sogenanntes Diffusionslöten. Zwischen Chip und Gehäuse entsteht – anstatt einer dicken Lötschicht – eine intermetallische Verbindung mit besonders niedrigem thermischem Widerstand. Das bedeutet, dass Wärme deutlich besser abgeführt werden kann als bei der herkömmlichen Montage von Chips. Diese Technik erhöht in Kombination mit Siliziumcarbid als Halbleitermaterial die Leistungsfähigkeit und Lebensdauer der Chips. So können diese den steigenden Anforderungen an Energieeffizienz und Materialeinsatz gerecht werden. 
Das Diffusionslöten ist ein hervorragendes Beispiel für die R-Strategie R2 („Reduce“).

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